特許

J-GLOBAL ID：200903063036484311

磁束密度の変化を利用した温度制御装置

発明者： 関 享士郎 ,  小林 勲 ,  菅原 利光
出願人/特許権者： 関 享士郎 ,  株式会社ミクニアデック
代理人 (1件)： 株式会社ミクニ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233147
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 磁束密度の変化を利用した温度制御装置であって、リ-ドスイッチの耐える温度に制限されることなく、更に高温を制御できるものを得ること。【解決手段】 2つの永久磁石1の間に感温磁性体2が挾持されてなる感温部が配置される高温部の熱影響を受けない位置にリ-ドスイッチ3を隔離配置し、リ-ドスイッチ3と感温部との間に磁路形成部材6を配置して感温部とリ-ドスイッチ3との間に磁路を形成する。

請求項（抜粋）：

2つの永久磁石(1)の間に温度変化によって飽和磁束密度が変化する感温磁性体(2)を挾持してなる感温部と、該感温部で発生する磁束密度の変化によって開閉制御されるリ-ドスイッチ(3)とからなる温度制御装置において、前記感温部が配置されている高温部の熱影響を受けない位置に前記リ-ドスイッチ(3)を隔離配置し、該リ-ドスイッチ(3)と前記感温部との間に磁路形成部材(6)を配置して、感温部とリ-ドスイッチ(3)との間に磁路を形成してなる磁束密度の変化を利用した温度制御装置。

IPC (2件)：

H01H 37/58 ,  G01K 7/38

FI (2件)：

H01H 37/58 A ,  G01K 7/38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭50-038072
  
• 特開昭51-054273
  
• 特開昭50-038072
  
• 特開昭51-054273
  
• 特開平4-127846