特許
J-GLOBAL ID：200903063037313057
半導体発光装置及び半導体発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-084755
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258647
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】光の取り出し効率を最良に維持したまま、透光性基板との剥がれを防止し、これによって、放熱性を向上させ、高出力を実現することができる高性能かつ長寿命の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子が実装用基板にダイボンディングされてなる半導体装置であって、半導体素子を構成する半導体層が配置する透光性基板表面の反対側の面に、銀又は銀合金メタライズ層、ニッケル層、応力緩和層、接着層がこの順に配置されてなる半導体装置。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有する透光性基板の第1の主面上に半導体層が形成されてなる半導体発光素子において、
前記第2の主面上に、銀又は銀合金の反射層、保護層がこの順に積層された積層膜を有し、
前記保護層が、第1金属層、第2金属層をこの順に積層された構造を有すると共に、前記第1,2金属層が白金族元素、該白金族元素と同族元素からなる群から選択される元素で、互いに異なる金属である半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 N
, H01L33/00 C
5F041AA40
, 5F041AA44
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041DA02
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA18
, 5F041DA19
, 5F041DA26
, 5F041DA36
, 5F041DA44
, 5F041DA45
, 5F041DA56
, 5F041DB01
, 5F041DB09
出願人引用 (3件)
-
発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-222627
出願人：旭化成工業株式会社
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窒化物系半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-297781
出願人：三菱電線工業株式会社
-
窒化物系半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-144083
出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (14件)
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