特許
J-GLOBAL ID：200903063040341061
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-017430
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097104
出願日： 1991年02月08日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法において、コンタクトホールにテーパーをつけて、その部分での配線の段差を少なくする。【構成】 半導体基板1の主面に形成された絶縁膜2にイオン注入法により不純物を導入することによって照射損傷が発生した領域7を形成する工程と、ホトリソ工程によってコンタクトホールの位置決めを行う工程と、ウエットエッチングとドライエッチングによってコンタクトホールを形成する工程からなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成された絶縁膜にイオン注入法により不純物を導入する工程と、ホトリソ工程によってコンタクトホールの位置決めを行う工程と、ウェットエッチングとドライエッチングによってコンタクトホールを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28
, H01L 21/302
, H01L 21/306
