特許
J-GLOBAL ID：200903063041377531
オーミック電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-215757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066391
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 高速半導体装置等に不可欠な低抵抗なオーミック電極を形成する。【構成】 電界効果トランジスタのオーミック電極のソース電極18とドレイン電極19としてモリブデン、チタン、白金、金を順に形成する。キャップ層17の上に高融点金属のモリブデンを形成することにより、半導体と電極金属との相互拡散を防ぎ安定なオーミックコンタクトが得られるとともに高信頼化できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた金属が活性層と電気的接触をとっているオ-ミック電極に於いて、該オーミック電極金属が融点が1200°C以上の高融点金属を最下層とした少なくとも1層以上の積層構造からなることを特徴とするオーミック電極。
IPC (4件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/43
H01L 29/80 H
, H01L 29/46 H
