特許

J-GLOBAL ID：200903063042444038

磁気センサ及びそれを使用する磁気記憶装置

発明者： バルガ ラヨス ,  清水 豊 ,  江口 伸 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026752
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217482
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 磁歪がゼロであるかゼロより小さいフリー磁性層を備えた磁気センサと、これを用いた特に高記録密度用の磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 第一の磁性層13、非磁性層14、第二の磁性層15及び反強磁性層16からなる積層体と、外部磁界の変化を抵抗の変化として検出して出力する変換素子18とを含み、第一の磁性層13の少なくとも一部がNi-Fe材料で形成され、そのNi含有量xNi(wt%)と膜厚t(nm)とが下式の関係を満たす磁気センサとする。【数1】この式において、BBulk1 =-53.78J/cm3 、BBulk2 =0.6638J/cm3 、BSurf1 =1.7548×10-6J/cm2 、BSurf2 =-2.432×10-8J/cm2 である。

請求項（抜粋）：

軟質強磁性材料の第一の磁性層、非磁性層、強磁性材料の第二の磁性層及び反強磁性層からなる積層体と、外部磁界の変化を抵抗の変化として検出して出力する変換素子とを含む磁気センサであって、第一の磁性層の少なくとも一部がNi-Fe材料で形成され、そしてwt%で表したそのNi含有量xNiとnmで表した膜厚tとが下式の関係を満たしている磁気センサ。【数1】この式において、BBulk1 =-53.78J/cm3BBulk2 =0.6638J/cm3BSurf1 =1.7548×10-6J/cm2BSurf2 =-2.432×10-8J/cm2

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

Fターム (11件)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02