特許
J-GLOBAL ID：200903063044825560
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277640
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208814
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】II族元素及びIV族元素を添加したp型半導体層を用いつつ、通電中の発光特性の劣化を抑制でき、良好な寿命特性で高い信頼性が得られる。【解決手段】Inを含む活性層105を、p型半導体層107とn型半導体層104とで挟んでなる窒化物系III-V族化合物からなる半導体発光素子を、p型半導体層107と活性層105との間に、この活性層105に隣接する拡散抑制層106が設けられており、この拡散抑制層106が、不純物としてIV族元素を所定の濃度以下で含んでおり、かつ、p型半導体層107が、不純物としてII族元素及びIV族元素を所定の濃度以上で含んでいる。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物によって構成されており、基板上に設けられたp型半導体層とn型半導体層との間に、Inを含む活性層が設けられた半導体発光素子であって、該p型半導体層と該活性層との間に、該活性層に隣接する拡散抑制層が設けられており、該拡散抑制層が、不純物としてIV族元素を所定の濃度以下で含むとともに、該p型半導体層が、不純物としてII族元素及びIV族元素を所定の濃度以上で含んでいる半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 5/323
