特許

J-GLOBAL ID：200903063051199070

半導体集積回路

発明者： 関本 康彦
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125521
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電圧変動に拘らずほぼ一定の電圧を入力回路に転送できるようにしたインターフェース機能をもつ半導体集積回路を提供する。【構成】 信号入力端子INと入力回路1との間に入力信号の振幅を制限する転送ゲートMOSトランジスタQN1が介挿された半導体集積回路において、転送ゲートMOSトランジスタQN1と同じ条件で作られたモニター用MOSトランジスタQN2を用いて構成されてそのしきい値変動に連動する出力を出すモニター回路2と、このモニター回路2の出力のレベル範囲を検出するレベル検出回路3と、このレベル検出回路3の出力により制御されて転送ゲートMOSトランジスタのゲートに最適バイアス電圧を供給するゲート電圧発生回路4とを備えた。

請求項（抜粋）：

信号入力端子と入力回路との間に入力信号の振幅を制限する転送ゲートMOSトランジスタが介挿された半導体集積回路において、前記転送ゲートMOSトランジスタと同じ条件で作られたモニター用MOSトランジスタを用いて構成されてそのしきい値変動に連動する出力を出すモニター回路と、このモニター回路の出力のレベル範囲を検出するレベル検出回路と、このレベル検出回路の出力により制御されて前記転送ゲートMOSトランジスタのゲートに最適バイアス電圧を供給するゲート電圧発生回路とを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 19/0175 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H03K 19/00 101 K ,  H01L 27/04 B