特許

J-GLOBAL ID：200903063051401210

半導体装置及びその製造方法

発明者： 梶田 陽子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153720
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023031
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】 同一素子上に高電圧がかかる入出力用のトランジスタと、低電圧で高駆動能力を実現するコア用のトランジスタとの2種類を同時に作りこむことができる半導体装置とその製造方法を提供する。【構成】 半導体装置において、シリコン基板11に形成される素子分離フィールド酸化膜12により画定されゲートが形成される入出力部分Aと、この入出力部分Aと前記フィールド酸化膜12により画定されゲートが形成されるコア部分Bと、前記ゲートのLDD層とソース/ドレイン拡散層間の寸法を入出力部分Aは大きく、コア部分Bは小さく形成し、入出力部分Aでは寄生抵抗を大きくして高電圧の印加に耐えるようにし、コア部分Bでは寄生抵抗を小さくして高駆動能力を持たせるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板に形成される素子分離フィールド酸化膜により画定されゲートが形成される入出力部分と、(b)該入出力部分と前記フィールド酸化膜により画定されゲートが形成されるコア部分と、(c)前記ゲートのLDD層とソース/ドレイン拡散層間の寸法を入出力部分は大きく、コア部分は小さく形成し、入出力部分では寄生抵抗を大きくして高電圧の印加に耐えるようにし、コア部分では寄生抵抗を小さくして高駆動能力を持たせるようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 L