特許

J-GLOBAL ID：200903063052781067

半導体装置の製造方法

発明者： 知野 豊治 ,  吉田 隆幸 ,  松田 賢一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335383
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 多数個の半導体チップの裏面を効率的に処理する方法を提供する。【解決手段】 樹脂を半導体チップまたはサブマウントに塗布する第1ステップと、第1ステップの後において、半導体チップおよびサブマウントが電気的に導通するように、かつ樹脂が第1表面を実質的に覆うように、半導体チップおよびサブマウントに圧力を加える第2ステップと、第2ステップの後において、成膜、エッチング、パターニングおよび洗浄のうちの少なくとも1つを半導体チップの第2表面に施す第3ステップと、を包含する。

請求項（抜粋）：

互いに実質的に平行な第1表面および第2表面を有する半導体チップを、該第1表面がサブマウントに対向するように、該サブマウント上に実装することによって半導体装置を製造する方法であって、樹脂を該半導体チップまたは該サブマウントに塗布する第1ステップと、該第1ステップの後において、該半導体チップおよび該サブマウントが電気的に導通するように、かつ該樹脂が該第1表面を実質的に覆うように、該半導体チップおよび該サブマウントに圧力を加える第2ステップと、該第2ステップの後において、成膜、エッチング、パターニングおよび洗浄のうちの少なくとも1つを該半導体チップの該第2表面に施す第3ステップと、を包含する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01S 3/18