単結晶の直径制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255481
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】単結晶の引上げのうち、特にシード部を寸法精度よく制御するのに適する単結晶の直径制御方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶引上装置10で用いられる直径制御方法であって、下記?@から?Bまでのステップを順次処理することによって、寸法精度よく単結晶の引上げを行うことを特徴とする単結晶の直径制御方法。?@融液温度を目標温度に一致させてのち、単結晶の直径が目標直径に合致するように基準引上げ速度を予め決定すること。?A初期の引上げとして基準引上げ速度のN倍(0.7 〜0.8 )の引上げ速度で一定時間引上げてのち、基準引上げ速度で引上げを行うこと。?B基準引上げ速度で引上げを一定時間行ってのち、または単結晶の直径を目標直径に合致させてのち、単結晶直径の偏差が0になるように引上げ速度を変更するとともに、融液表面の測定温度と目標温度に差が生じる場合に遅れ時間を想定して引上げ速度を変更すること。

請求項（抜粋）：

引上げられるべき単結晶の融液を収容する坩堝と、この融液表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、前記融液表面の温度を検出する手段と、前記引上げ手段によって引上げられる単結晶の直径を測定する手段とを具備する単結晶引上装置で用いられる直径制御方法であって、下記?@から?Bまでのステップを順次処理することによって、寸法精度よく単結晶の引上げを行うことを特徴とする単結晶の直径制御方法。?@上記融液表面の温度を目標温度に一致させてのち、前記融液温度で単結晶の直径が目標直径に合致するように基準引上げ速度を予め決定すること。?A初期の引上げとして基準引上げ速度のN倍の引上げ速度で一定時間引上げてのち、基準引上げ速度で引上げを行うこと。?B基準引上げ速度で引上げを一定時間行ってのち、または単結晶の直径を目標直径に合致させてのち、単結晶の測定直径と目標直径との偏差が0(ゼロ)になるように引上げ速度を変更しながら引上げを行うとともに、前記融液表面の測定温度と目標温度に差が生じる場合に融液表面に種結晶を接触させる坩堝の中心位置と融液温度を測定する位置との遅れ時間を想定して引上げ速度を変更すること。ただし、上記?A中のNは0.7 〜0.8 の範囲とする。

IPC (3件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/22 , C30B 29/06 502 J , H01L 21/208 P

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