光半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218564
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】大面積ウェハで均一性,再現性に優れた光半導体素子を得るために、選択成長により電流ブロック層,活性層を作製する一括成長/プロセスの方法を提供する。【構成】 MOVPE選択成長によりまず、一対の電流ブロック層を作製し、その後、電流ブロック層の間のSiO2 膜21のみを除去しn-InPクラッド層4、活性層5、p-InPクラッド層6、p-InGaAsキャップ層7を作製する。【効果】半導体をエッチングしないため大面積で高均一な光半導体素子が得られる。また、電流ブロック層を作製しているため高性能な素子が実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、間に光導波路形成領域を挟んで対向する2本の誘電体薄膜ストライプを形成する工程と、前記誘電体薄膜ストライプ以外の前記半導体基板上に活性層を含む半導体多層膜を積層する選択成長工程とを含む光半導体素子の製造方法において、前記光導波路形成領域の中央に誘電体薄膜ストライプを形成し、一対の電流ブロック層を選択成長により形成する工程と、この工程に引き続き、前記光導波路形成領域の中央に形成した誘電体薄膜ストライプを除去し、前記半導体基板の一部を露出させる工程と、この工程に引き続き、前記誘電体ストライプ以外に活性層を含む半導体多層膜を積層する選択成長工程とをさらに含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。

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