特許

J-GLOBAL ID：200903063057086472

光起電モジュールの製法

発明者： ダニエーレ・マルガドンナ ,  バルテル・パスクァ ,  マリアーノ・ツァルコーネ
出願人/特許権者： エウロゾラーレ・ソシエタ・ペル・アチオニ
代理人 (1件)： 木村 正巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254441
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169987
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光起電モジュールの製法に当たり、ワット当たりのコストの低減及び製造収率の増大をはかる。【構成】 支持された大きい面積を有する薄層形のケイ素ウェーハを使用し、a)支持基板上にケイ素ウェーハ1を配置し、b)該ケイ素ウェーハ上にドーピングペーストを塗布し、c)熱処理してドーピング剤を拡散させ、d)ケイ素ウェーハを切断して活性エレメントとし、e)該エレメントの前面及び背面に接点を形成し、f)接点を形成したリア保護ガラスを当て、g)活性エレメントを相互に接続し、h)反射防止層を設け、i)カプセル化する。

請求項（抜粋）：

ケイ素が支持された大面積の薄層形であることを特徴とする単結晶性又は多結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールの製法において、a)耐熱性材料でなる支持基板上に、好適な電気的活性な不純物をドープした表面積0.5m2 以下及び厚さ100〜500μmを有する1以上のケイ素ウェーハを配置し、b)シルクスクリーン法によって該ケイ素ウェーハ上にドーピングペーストを塗布し、c)温度900〜1000°Cに加熱することによってドーピング剤を拡散させ、d)拡散した層を切断することによってユニット活性エレメントの表面積を限定し、e)該活性エレメントの前面及び背面上に接点を形成し、f)接点を形成したリア保護ガラスを当て、g)活性エレメントを相互に接続し、h)反射防止層を設け、i)カプセル化することを特徴とする、光起電モジュールの製法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-033980