特許

J-GLOBAL ID：200903063064216918

半導体基板の加工方法

発明者： 清野 敏廣 ,  箱守 駿二 ,  天野 健史
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317735
公開番号（公開出願番号）：特開平11-138422
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【目的】本発明方法は、半導体ウェーハの鏡面仕上げにいたるまでの一連の製造加工プロセスにおいて、加工ダメージ層の発生を抑制する加工プロセスに関わる。【構成】ラッピング、エッチング、ポリッシング等の工程よりなる、IC、LSIあるいは超LSI等の原材料である鏡面仕上げの半導体ウェーハを製造加工する方法において、ラッピング工程を終えたウェーハを、砥粒を固定した研磨パッドを表面に貼付した加工機の定盤面に配置し、乾式で押圧回転を行う加工工程を組み込むことを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。

請求項（抜粋）：

ラッピング、エッチング、ポリッシング等の一連の工程よりなる半導体ウェーハの加工方法において、ラッピング工程を終えたウェーハを、砥粒を固定した研磨パッドを貼付した加工機の加工作用面に設置し、乾式で押圧回転を行なう加工工程を組み込むことを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 C ,  B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 321 M