特許

J-GLOBAL ID：200903063074066078

銅メタライズ組成物、低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法

発明者： 中村 良二
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271846
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084051
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】 BASなどの非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成することが可能で、絶縁基体に対する接着強度、酸系やアルカリ系のめっき浴に対する耐腐食性に優れた銅電極層を形成することが可能な銅メタライズ組成物、それを用いて銅電極層を形成した低温焼結セラミック配線基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 主成分であるCu、CuO、Cu2O、Cu-CuO混合物、Cu-Cu2O混合物、及びCuO-Cu2O混合物からなる群より選ばれる少なくとも1種に対して、添加成分として、Ti、Nb、W、TiO2、Nb2O5、及びWOからなる群より選ばれる少なくとも1種を、無機成分全体に対する含有率が0.5〜30.0重量%となるような割合で添加する。非ガラス系低温焼結セラミックとして、BaO-Al2O3-SiO2混合セラミック磁器を用いる。

請求項（抜粋）：

非ガラス系低温焼結セラミックと同時焼成可能な銅メタライズ組成物であって、主成分であるCu、CuO、Cu2O、Cu-CuO混合物、Cu-Cu2O混合物、及びCuO-Cu2O混合物からなる群より選ばれる少なくとも1種に対して、添加成分として、Ti、Nb、W、TiO2、Nb2O5、及びWOからなる群より選ばれる少なくとも1種を、無機成分全体に対する含有率が0.5〜30.0重量%となるような割合で添加したことを特徴とする銅メタライズ組成物。

IPC (8件)：

H05K 1/09 ,  C04B 41/88 ,  H01B 1/16 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/38 ,  H05K 3/46

FI (10件)：

H05K 1/09 Z ,  C04B 41/88 C ,  H01B 1/16 A ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/38 B ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/14 M

Fターム (58件)：

4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB24 ,  4E351BB26 ,  4E351BB31 ,  4E351CC12 ,  4E351CC22 ,  4E351CC31 ,  4E351CC33 ,  4E351DD04 ,  4E351DD11 ,  4E351DD17 ,  4E351DD33 ,  4E351DD34 ,  4E351DD58 ,  4E351EE02 ,  4E351EE03 ,  4E351GG01 ,  4E351GG11 ,  5E343AA02 ,  5E343AA24 ,  5E343BB15 ,  5E343BB22 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB40 ,  5E343BB59 ,  5E343BB77 ,  5E343DD02 ,  5E343ER37 ,  5E343ER39 ,  5E343GG01 ,  5E343GG18 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346BB01 ,  5E346BB15 ,  5E346CC18 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346CC36 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE28 ,  5E346GG02 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11 ,  5E346HH13 ,  5G301DA06 ,  5G301DA23 ,  5G301DA32 ,  5G301DA33 ,  5G301DD01