特許

J-GLOBAL ID：200903063079013819

電子部品の電極形成方法

発明者： 千 田 厚 生 ,  高 野 良 比 古 ,  森 田 一 弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273967
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】 部品ごとにめっき条件を決定する必要がなく、電解めっきに起因して電子部品が還元劣化するなどの各種不良が低減でき、さらに、半田付けが必要な電子部品に対して、十分な半田濡れ性を有する電極が形成できる、電子部品の電極形成方法を提供する。【解決手段】 セラミック基体上に電極を形成し、セラミック基体を貴金属溶液に浸漬して、電極表面を貴金属で活性化する。そして、活性化された電極表面に三価のチタンイオンを還元剤とする無電解めっきにより半田膜またはスズ膜を形成して、電子部品の電極を形成する。

請求項（抜粋）：

セラミック基体上に電極を形成する工程、前記セラミック基体を貴金属溶液に浸漬し、前記電極表面を貴金属で活性化する工程、および前記活性化された電極表面に三価のチタンイオンを還元剤とする無電解めっきにより半田膜またはスズ膜を形成する工程を含む、電子部品の電極形成方法。

IPC (3件)：

H01G 4/012 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/40

FI (3件)：

H01G 1/015 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/40 307 A