特許
J-GLOBAL ID：200903063079902907
半導体装置の製造方法およびその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140754
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335574
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の層間絶縁膜形成工程でリフロー絶縁膜を形成するためのAPLプロセスにおいて「ウオームアップ」処理方式を採用する際、大量のウエハーを短時間で処理し、ダスト発生の増大や金属疲労などの弊害を抑制する。【構成】半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、所定の真空度に設定される真空室21内で順次に隣り合うように配設された複数のウエハサセプタ221〜227を所望の相異なる設定温度であって低温側から高温側への温度順の配列となるように設定して保持し、絶縁膜膜形成後の半導体ウエハーを温度順に配列された複数のウエハサセプタ上に低温側から高温側へと順送りに搬送する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、所定の真空度に設定される真空室内で順次に隣り合うように配設された複数のウエハサセプタを所望の相異なる設定温度であって低温側から高温側への温度順の配列となるように設定して保持し、前記絶縁膜膜形成後の半導体ウエハーを上記温度順に配列された複数のウエハサセプタ上に低温側から高温側へと順送りに搬送する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/90 R
