特許
J-GLOBAL ID：200903063082690678
磁性積層体およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067525
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【構成】 Ag、AuおよびCuの少なくとも1種を含む単結晶状バッファ層上に、Fe、CoおよびNiの少なくとも1種を含む磁性薄膜と、Ag薄膜とを交互にエピタキシャル成長させながら積層する。バッファ層、磁性薄膜およびAg薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜する。RHEEDパターンはバッファ層、多層膜とも(100)配向単結晶であることを示す。積層体は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 従来の反強磁性型の積層体と比較して、数kOe程度と低い磁場でも巨大磁気抵抗変化率を示し、この磁気抵抗変化率はバッファ層によって格段と高いものとなり、0.01〜20kOe の範囲で1〜150%の任意の磁気抵抗変化率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
Ag、AuおよびCuの少なくとも1種を含む単結晶状バッファ層上に、Fe、CoおよびNiの少なくとも1種を含む磁性薄膜と、Ag薄膜とを積層した多層膜を有することを特徴とする磁性積層体。
IPC (4件)：
H01F 10/00
, H01F 10/26
, H01F 41/20
, H01L 43/10
