特許
J-GLOBAL ID：200903063084941821
セラミック回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057890
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258408
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 両面に金属板を接合して成るセラミック回路基板が反る。【解決手段】 セラミック基板2の両主面に略同じ厚みの金属板1・3を接合する工程と、セラミック基板2の一方の主面の金属板1の表面にレジスト膜4を回路パターン状に形成するとともに、他方の主面の金属板3の全面にレジスト膜5を形成する工程と、セラミック基板2の一方の主面の金属板1をエッチング処理して回路パターン状のレジスト膜4に対応した回路を形成する工程と、セラミック基板2の他方の主面の金属板3の全面に形成されたレジスト膜5を剥離する工程と、セラミック基板2の他方の主面の金属板3の全面を所定厚みまでエッチングする工程と、セラミック基板2の一方の主面の金属板1の表面に形成された回路パターン状のレジスト膜4を剥離する工程とを順次行う製造方法。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の両主面に略同じ厚みの金属板を接合する工程と、前記セラミック基板の一方の主面の前記金属板の表面にレジスト膜を回路パターン状に形成するとともに他方の主面の前記金属板の全面に前記レジスト膜を形成する工程と、前記セラミック基板の一方の主面の前記金属板をエッチング処理して前記回路パターン状の前記レジスト膜に対応した回路を形成する工程と、前記セラミック基板の他方の主面の前記金属板の全面に形成された前記レジスト膜を剥離する工程と、前記セラミック基板の他方の主面の前記金属板の全面を所定厚みまでエッチングする工程と、前記セラミック基板の一方の主面の前記金属板の表面に形成された回路パターン状の前記レジスト膜を剥離する工程とを順次行なうことを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 3/06 A
, H01L 23/12 D
5E339AB06
, 5E339AD01
, 5E339BC02
, 5E339BD06
, 5E339BE13
, 5E339CE18
, 5E339GG10
