特許
J-GLOBAL ID：200903063086304390
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016224
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288958
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】本発明は実装密度を向上させるためリードの一部のみをパッケージの底面に露出させる半導体装置の製造方法に関し、容易かつ安価に小型化された半導体装置を製造することを課題とする。【解決手段】半導体装置10の製造方法において、ステージ用リードフレーム25のダイステージ12に半導体チップ11を固着するチップ固着工程と、リード用リードフレーム27に設けられた複数のリード14の一端を半導体チップ11の高さ方向に対して重なり合った状態で半導体チップ11の電極13に接続する接続工程と、リード14の他端側14aがリード14の厚さの範囲内でパッケージ17の底面17aから突出するようにリード14,半導体チップ11及びダイステージ12をモールドしパッケージ17を形成するモールド工程とを有する。
請求項（抜粋）：
ダイステージを有する第1のリードフレームの該ダイステージに半導体チップを固着するチップ固着工程と、複数のリードを有する第2のリードフレームの該リードの一端を、該リードが前記半導体チップの高さ方向に対して重なり合った状態で該半導体チップの電極に接続する接続工程と、前記リードの他端側が該リードの厚さの範囲内で底面から突出するように、前記リード、前記半導体チップ及び前記ダイステージをモールドするモールド工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/50
H01L 21/56 R
, H01L 23/50 R
, H01L 23/12 L
