特許

J-GLOBAL ID：200903063091029224

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 廣瀬 貴司 ,  坪井 伸行 ,  田村 達彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286592
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135465
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 インジュウム錫酸化物からなる画素電極へのソース・ドレイン電極の接続面をモリブデンにすることにより、ソース・ドレイン電極と画素電極間が良好なオーミック特性で、かつ、低抵抗に接続された薄膜トランジスタを得る。【解決手段】 基板1上にゲート電極2、a-Si 膜からなる半導体層5、チャネル保護膜6、n型にした非晶質Siのコンタクト層7等を形成した後、Arガスを用いたスパッタリング法によりTi 膜、Al膜、Mo膜 をこの順に成膜した後、これらをエッチングしてソース・ドレイン下層電極(Ti)21、ソース・ドレイン中層電極(Al)22、ソース・ドレイン上層電極(Mo)23を形成する。フォトリソグラフィーにより開口部を有する有機絶縁膜12を形成した後、この有機絶縁膜12上にITO膜を成膜し、このITO膜を画素電極パターン状にエッチング加工して画素電極9とする。

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン電極上にインジュウム錫酸化物からなる画素電極を接続してなる薄膜トランジスタにおいて、前記ソース・ドレイン電極の前記画素電極への接続面がモリブデンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 616 U ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-253342
  
• 特開昭64-068728
  
• アクティブマトリクス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019074   出願人：シャープ株式会社
• 表示用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-166044   出願人：ソニー株式会社