特許

J-GLOBAL ID：200903063091784111

半導体レーザ装置

発明者： 河内 隆一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302912
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】金属製ブロック状のヒートシンクを金属ステムに位置精度良く固定でき、またパッケージの放熱性を高めることを目的とする。【構成】鉄のような金属ステム6に貫通孔20を形成し、その貫通孔20に金属ステム6の熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の金属製ヒートシンク8を嵌め込み、銀蝋で固定し、そのヒートシンク8の側面に半導体レーザ素子7を装着した半導体レーザ装置1である。【効果】ヒートシンクの取付け位置精度を高めることができ、そして製造が容易になる。また、ヒートシンクのボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パッケージとしての熱抵抗の低下し、金属ステムの裏側にヒートシンクが露出して、直接外部のヒートシンクに接続できるため、放熱性の向上を計れる。

請求項（抜粋）：

金属ステムに貫通孔を形成し、該貫通孔に該金属ステムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、該金属製ヒートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/36