特許

J-GLOBAL ID：200903063093333508

3b-5b族化合物半導体の気相成長方法

発明者： 家近 泰 ,  高田 朋幸 ,  小野 善伸 ,  八子 忠明 ,  梶原 和久
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230953
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】窒素原料として少なくともヒドラジンを含む気相成長法において、高効率発光デバイスに用いることができる3b-5b族化合物半導体のエピタキシャル結晶を、工業的に製造できる気相成長方法を提供する。【構成】5b族として窒素を含む3b-5b族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、窒素原料として少なくともヒドラジンを用い、該ヒドラジンの水分が100重量ppm以下であることを特徴とする3b-5b族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。

請求項（抜粋）：

5b族として窒素を含む3b-5b族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法において、窒素原料として少なくともヒドラジンを用い、該ヒドラジンの水分が100重量ppm以下であることを特徴とする3b-5b族化合物半導体のエピタキシャル気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00