特許

J-GLOBAL ID：200903063093489788

半導体デバイスの製造方法

発明者： 土師 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218176
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064912
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 バンプが馴じみにくいというアルミ電極の性質を低コストで簡単に改善できる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ウェハ7上には、アルミ電極8を除いて保護膜10がコーティングされている。ウェハ7のアルミ電極8上の酸化膜9をエッチングにより除去した後、ウェハ7上に金属膜30を形成する。次にウェハ7上に粘着テープ34を貼り付け、粘着テープ34を剥がす。すると金属膜30と保護膜10の付着力は小さく、金属膜30とアルミ電極8の付着力は大きいので、アルミ電極8上の金属膜30を残し、保護膜10上の金属膜30は剥がれる。アルミ電極8上に残存する金属膜30は半田バンプとの馴じみが良いので、アルミ電極8上に半田バンプをぬれ性よく形成できる。

請求項（抜粋）：

電極が形成された表面に、この電極を露呈させてこの電極よりも金属剥離性の高い保護膜をコーティングした半導体を用いる半導体デバイスの製造方法であって、前記電極の表面の酸化膜を除去する工程と、前記電極および前記保護膜の表面に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を前記電極上に残存させて前記金属膜を前記保護膜から剥ぎ取る工程と、を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。