特許
J-GLOBAL ID：200903063093578250
応力評価用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235578
出願日： 1994年02月25日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 樹脂封止型半導体装置の半導体チップに発生する応力を簡便に評価するための応力評価用半導体装置を提供する。【構成】 配線1,配線2を半導体チップ3上の周辺部に層間絶縁膜7を介して多層に構成することにより、封止樹脂5の応力により層間絶縁膜7にクラック9が発生した際、1層目の配線1aと2層目の配線1bとが層間絶縁膜7のクラック9を通し短絡するので、外部より電気的に配線の移動が確認でき、その結果、封止樹脂5による応力の発生を外部より電気的に確認することができる。
請求項（抜粋）：
樹脂封止型半導体装置の応力評価用半導体装置において、封止している樹脂内の半導体チップ上の配線を上下に複数層構造とし、前記複数層構造の配線間に層間絶縁膜を設けることを特徴とする応力評価用半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/44
, H01L 23/08
