半導体埋め込み型光変調器及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006475
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202273
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】光通信用に用いられる半導体埋め込み型光変調器及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】第1の導電型を有する基板上に、第1の導電型を有する第1のクラッド層、第1のコア層、第2の導電型を有する第2のクラッド層、及び第2の導電型を有するコンタクト層からなるメサストライプ構造を有する活性層部11と、前記第1のコア層よりもバンドギャップが大きい第2のコア層と第3のクラッド層からなるメサストライプ構造するガイド層部12とを有し、前記第2のコア層が前記第1のコア層に対し光軸方向の両端で接続されている半導体光変調器において、前記活性層部11と前記ガイド層部12とからなるメサストライプ構造のうち、前記ガイド層部12の側面部のみが、半絶縁性を有する半導体層14により埋め込まれているものである。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する基板上に、第1の導電型を有する第1のクラッド層、第1のコア層、第2の導電型を有する第2のクラッド層、及び第2の導電型を有するコンタクト層からなるメサストライプ構造を有する活性層部と、前記第1のコア層よりもバンドギャップが大きい第2のコア層と第3のクラッド層からなるメサストライプ構造するガイド層部とを少なくとも有し、前記第2のコア層が前記第1のコア層に対し光軸方向の両端で接続されている半導体光変調器において、前記活性層部と前記ガイド層部とからなるメサストライプ構造のうち、前記ガイド層部の側面部のみが、半絶縁性を有する半導体層により埋め込まれていることを特徴とする半導体埋め込み型光変調器。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体光変調器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-020876 出願人：株式会社日立製作所
特開昭57-135906

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