特許
J-GLOBAL ID：200903063095124620
薄膜デバイス用製造装置および薄膜デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091821
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】熱触媒体に影響されないで、もしくはその影響を小さくして安定した成膜を達成し、これによって高品質かつ高信頼性の積層型薄膜デバイスを提供する。【解決手段】被成膜用基板29上にホットワイヤーCVD法により少なくとも2層を順次積層する薄膜デバイス用製造装置において、先の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分に対し、その後の薄膜の成膜に用いる発熱体の成分を違える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガス導入部と、このガス導入部より噴き出したガスが通過する発熱体とを備えて、被成膜用気基体上にホットワイヤーCVD法により第1薄膜を被着せしめるように成した反応室と、さらにガス導入部と、このガス導入部より噴き出したガスが通過する発熱体とを備えた他の反応室と、第1薄膜を被着した被成膜用気基体を他の反応室に運ぶ搬送手段とを備えて、他の反応室にて第1薄膜上にホットワイヤーCVD法により第2薄膜を被着せしめるように成した薄膜デバイス用製造装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C16/44 A
, H01L21/205
, H01L31/04 V
2H068EA27
, 4K030AA03
, 4K030AA06
, 4K030BA30
, 4K030BB12
, 4K030FA10
, 4K030LA16
, 4K030LA17
, 5F045AA03
, 5F045AA06
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045CA16
, 5F045HA24
, 5F051AA05
, 5F051CA18
, 5F051CA36
