特許
J-GLOBAL ID：200903063114338882
パターン露光用レチクル及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049061
公開番号（公開出願番号）：特開平7-261368
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 パターン露光用レチクル及びその製造方法に関し、露光すべきパターンのサイズや間隔に応じて光減衰部が最適の透過率をもち、且つ、ショット領域外の光を充分に減衰することが可能なハーフトーン型位相シフト・レチクルを簡単且つ容易に実現させようとする。【構成】 表面に積層して形成された位相シフタ33並びに遮光膜34をもつ石英基板32と、石英基板32に於けるショット領域31A内に於いて位相シフタ33並びに遮光膜34を貫通して形成したパターン35と、ショット領域31A内に於いて前記パターン35のサイズや間隔などに対応して大きさや密度などの設定条件を定め且つ露光装置の分解能以下の大きさを維持して形成され光透過率を変化させる微細孔34Aをもった遮光膜34からなるハーフトーン部とを備える。
請求項（抜粋）：
表面に積層して形成された位相シフタ並びに遮光膜をもつ基板と、前記基板に於けるショット領域内に於いて位相シフタ並びに遮光膜を貫通して形成したパターンと、前記ショット領域内に於いて前記パターンに対応して設定条件を定め且つ露光装置の分解能以下の大きさを維持して形成され光透過率を変化させる微細孔をもった前記遮光膜からなるハーフトーン部とを備えてなることを特徴とするパターン露光用レチクル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
