半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196460
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045990
出願日： 1995年08月01日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】簡単な構造で良好な特性を実現しつつ自励発振を安定して得ることができる半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】 p-クラッド層5の平坦部5a上およびリッジ部5bの側面に、p-クラッド層5とほぼ等しい屈折率を有するn-第1電流ブロック層7を形成し、n-第1電流ブロック層7上にp-クラッド層5と異なる屈折率を有するn-第2電流ブロック層8を形成する。それにより、p-クラッド層5のリッジ部5bの領域に電流注入領域を形成し、p-クラッド層5のリッジ部5b下およびそのリッジ部5bの両側面のn-第1電流ブロック層7下の領域に光導波路を形成する。

請求項（抜粋）：

平坦部と前記平坦部上の中央部に形成されたストライプ状のリッジ部とからなる第1導電型のクラッド層が活性層上に設けられた半導体レーザ装置において、前記クラッド層の前記平坦部上および前記リッジ部の側面上に前記第1導電型と逆の第2導電型を有しかつ前記クラッド層とほぼ等しい屈折率を有する第1の電流ブロック層が形成され、前記第1の電流ブロック層上の少なくとも平坦領域上に前記第2導電型を有しかつ前記クラッド層と異なる屈折率を有する第2の電流ブロック層が形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-303778
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193875 出願人：シャープ株式会社
特開平3-097286

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