特許
J-GLOBAL ID：200903063124621426
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372510
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307017
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 外部抵抗分を大幅に低減させる。【解決手段】 MOSFET1は、半導体ペレット10と、MOSFET要素を電気的に外部に引き出すゲート用、ソース用インナリード35、36と、各インナリードに接続されたアウタリード37、38と、放熱性能を高めるヘッダ28と、半導体ペレット、インナリード群、ヘッダの一部を樹脂封止した樹脂封止体29とを備え、半導体ペレット10にはインナリード35、36がバンプから形成された接続部25、26で機械的かつ電気的に接続され、半導体ペレット10の反対側には樹脂封止体29から露出したヘッダ28がドレイン用接続部27で接続され、アウタリード37、38がガル・ウイング形状に屈曲されている。【効果】 ガル・ウイング形状のアウタリードと樹脂封止体裏面のヘッダを実装基板に表面実装することで外部抵抗分を低減できかつ放熱性能を向上できる。
請求項（抜粋）：
主面に電界効果トランジスタ要素が作り込まれて小形の平板形状に形成された半導体ペレットと、前記電界効果トランジスタ要素を電気的に外部に引き出すための複数のインナリードと、前記インナリードにそれぞれ接続された各アウタリードと、放熱性能を高めるためのヘッダと、前記インナリード群および前記ヘッダの一部を樹脂封止した樹脂封止体とを有し、前記半導体ペレットの前記主面には前記インナリードのそれぞれが突起状端子から形成された接続部によって機械的および電気的に接続され、前記半導体ペレットの前記主面と反対側の面には前記樹脂封止体から露出した前記ヘッダが機械的および電気的に接続されており、前記アウタリードのそれぞれがガル・ウイング形状に屈曲されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/02 B
, H01L 23/50 K
5F067AA03
, 5F067AB02
, 5F067AB10
, 5F067BA01
, 5F067BA03
, 5F067BA06
, 5F067BB01
, 5F067CA03
, 5F067CA04
