特許

J-GLOBAL ID：200903063126903810

半導体集積回路装置及び製造方法

発明者： 小松 理夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121431
出願日： 1991年10月26日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板の面方位に依存しないセルフアラインバイポーラトランジスタを製造可能とする。【構成】 シリコン基板101の絶縁膜106上に形成されて一部が開口されたベース電極107と、この開口の内側面に形成されてベース拡散層109,111とベース電極107に接するベース引出し電極110と、ベース電極及びベース引出し電極を覆う絶縁膜112と、この絶縁膜112上に形成されて開口の中央部においてシリコン基板に形成されるエミッタ拡散層114と接しているエミッタ電極113と、シリコン基板のベース拡散層下に形成されている埋込層102からの引出し電極116とで構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜上に形成されて一部が開口されたベース電極と、この開口の内側面に形成され、前記半導体基板に形成されたベース拡散層と前記ベース電極に接するベース引出し電極と、前記ベース電極及びベース引出し電極を覆う絶縁膜と、この絶縁膜上に形成され、かつ前記開口の中央部において前記半導体基板に形成されるエミッタ拡散層と接するエミッタ電極と、半導体基板のベース拡散層下に形成された埋込コレクタ層からの引出し電極とを有するバイポーラトランジスタを備える半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 101 B