特許

J-GLOBAL ID：200903063132210400

半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法

発明者： ユーイシック・ヨーン ,  ロナルド・ピー・コヴァックス ,  マイケル・イー・トーマス
出願人/特許権者： ナショナル セミコンダクタ コーポレイション
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156625
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077402
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 基板上の誘電体構造が、基板上の一次誘電体層と、一次誘電体層上の二次誘電体層を含み、一次誘電体は五酸化タンタルなどの比誘電率の高い金属酸化物であり、二次誘電体はシリコンの酸化物又は窒化物などである。一実施例では、多層の誘電体構造(90)が二次誘電体層(36)上に配置された第二の一次誘電体層(38)と、第二の一次誘電体層(38)上に配置された第二の二次誘電体層(40)を含み、各々の一次誘電体層(34,38)は所与の印加電場に対する低い漏れ電流を特徴とする第一の結晶状態にある。基板上に誘電体構造を形成する方法は、高い比誘電率を有する金属酸化膜の一次誘電体の層を基板上に形成し、一次誘電体層上に二次誘電体層を形成し、一次誘電体層をアニーリングすることを含む。【効果】 比誘電率が高く漏れ電流の小さい、有利な誘電体構造が提供される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられる誘電体構造であって、(a)基板上の一次誘電体の第一の層と、該一次誘電体が高い比誘電率を有する金属酸化物であること、及び(b)前記第一の一次誘電体層上の第一の二次誘電体層とからなる誘電体構造。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 325 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371