特許

J-GLOBAL ID：200903063134313428

エポキシ系ポリマー薄膜の形成方法

発明者： 辰浦 智 ,  外山 弥 ,  吉村 徹三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237864
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078502
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：

【要約】【目的】 蒸着重合を用いて、エポキシ系ポリマー薄膜を形成することのできる方法を提供することを目的とする。【構成】 少なくとも1個のアミノ基を有する分子Aと、少なくとも2個のエポキシ基を有する分子Bとを、真空中で加熱して蒸発させ、エポキシ基とアミノ基との化学反応により基板上で高分子薄膜を形成させる。分子AおよびBのうちの少なくとも一方が分子分極を有するような分子AとBとを用い、電界を印加した状態で、高分子薄膜を形成させてもよい。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個のアミノ基を有する分子Aと、少なくとも2個のエポキシ基を有する分子Bとを、真空中で加熱して蒸発させ、エポキシ基とアミノ基との化学反応により基板上で高分子薄膜を形成させることを特徴とするエポキシ系ポリマー薄膜の形成方法。

IPC (6件)：

C08J 5/18 CFC ,  C08G 59/18 NKK ,  C08G 59/50 NJA ,  G02B 1/04 ,  G02F 1/35 504 ,  C08L 63:00