特許
J-GLOBAL ID：200903063134485628
半導体発光装置とその製造方法
出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社
スタンレー電気株式会社 について
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 , 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-141380
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322847
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 窒化物半導体発光層を有し、電流供給が速やかに行え、高光出力を効率的に提供できる半導体発光装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光装置は、n型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、p型窒化物半導体層とを積層した透明単結晶基板と、p型窒化物半導体層、発光層を切断し、n型領域を露出する深さの切欠き領域であって、複数のメサ状活性領域とメサ状電極引き上げ領域とを画定する切欠き領域と、メサ状活性領域を取り囲みn型領域上に形成されたn型用オーミック電極及びn型用オーミック電極部分から連続してメサ状電極引き上げ領域上に延在するn型用パッド電極とを含むn型用電極と、メサ状活性領域の各々のp型窒化物半導体層上に形成されたp型用オーミック電極と、透明単結晶基板と対向して配置され、n型用パッド電極部分に対向接続されたn型用導電性接続部材と、各p型用オーミック電極に対向接続されたp型用導電性接続部材とを有する支持基板と、を有する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
透明基板と、
前記透明基板上方に形成された第1導電型窒化物半導体層と、
前記第1導電型窒化物半導体層上方に形成された窒化物半導体発光層と、
前記窒化物半導体発光層上方に形成された、第1導電型と逆導電型の第2導電型窒化物半導体層と、
前記第2導電型窒化物半導体層および前記窒化物半導体発光層を切断し、前記第1導電型領域を露出する深さの切欠き領域であって、複数のメサ状活性領域とメサ状電極引き上げ領域とを画定する切欠き領域と、
前記複数のメサ状活性領域を取り囲む前記切欠き領域に露出された第1導電型領域上に形成された第1導電型用オーミック電極部分及び前記第1導電型用オーミック電極部分から連続して前記メサ状電極引き上げ領域上に延在する第1導電型用パッド電極部分とを含む第1導電型用電極と、
前記複数のメサ状活性領域の各々の第2導電型窒化物半導体層上に形成された第2導電型用オーミック電極と、
前記透明基板と対向して配置され、前記第1導電型用パッド電極部分に対向接続された第1導電型用導電性接続部材と、各前記第2導電型用オーミック電極に対向接続された第2導電型用導電性接続部材とを有する支持基板と、
を有する半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA05
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA75
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB04
, 5F041CB11
引用特許：
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