特許

J-GLOBAL ID：200903063134577352

超伝導トンネル接合

発明者： 日高 睦夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251768
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 ピンホールがなく、接合界面にニオブ低級酸化膜が生成しない磁性トンネルバリアを有するニオブ系ジョセフソン接合を提供する。【構成】 下部電極11、上部電極15がニオブからなるトンネル型ジョセフソン接合において、ニッケル酸化膜からなるトンネルバリア13を磁性を有しないアルミ12、14で挟む。すると準粒子トンネル電流特性に悪影響をおよぼすニオブ低級酸化物が前記磁性酸化物の還元により接合界面に生成されることを防止できる。しかもアルミの方ニッケルより酸化されやすいので、ピンホールがあってもそこのアルミの酸化膜厚はニオブのそれより厚い。従ってトンネル電流はニッケル酸化膜のみを流れる。

請求項（抜粋）：

下部電極、上部電極にニオブもしくはニオブ化合物を用い、トンネルバリアに磁性材料を含むトンネル型ジョセフソン接合において、少なくとも前記下部電極上に磁性を有しない第一の金属層、前記第一の金属層上に前記トンネルバリア、前記トンネルバリア上に磁性を有しない第二の金属層、前記第二の金属層上に前記上部電極を配置することを特徴とする超伝導トンネル接合。