特許
J-GLOBAL ID：200903063134929020
CU2SのMOCVD形成
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鈴木 正剛
, 佐野 良太
, 村松 義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-555271
公開番号（公開出願番号）：特表2006-507410
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
導電層(110,402,602,808)上にパッシブ層(30,106,212)を形成するためのシステム及び方法が記載される。形成は、有機メモリセルの製造中行われ得る。パッシブ層が概して、硫化銅(CUZS)のような導電性を容易にする化合物(106,406,614,1212)を含む。導電性を容易にする化合物(106,406,614,1212)は、金属有機(MO)前駆体(408,616)を利用して導電層(110,402,602,808)上にプラズマ化学蒸着デポジション(PECVD)(200,800,1200)を介してデポジットされる。前駆体(408,616)は、毒性硫化水素(HZS)がない場合、比較的低温及び低圧(例、それぞれ約400K〜約600K及び約0.05Pa〜約0.5Pa)で導電性を容易にする化合物をデポジットすることを容易にする。デポジションプロセスは、とりわけ、導電性を容易にする化合物を求められる膜厚にデポジットすることを容易にすることを監視及びコントロールされ得る。
請求項（抜粋）：
1あるいはそれ以上のメモリセル(100,200,222,224,300,400)の製造で導電層(110,402,602,808)上に導電性を助長する化合物(106,406,614,1212)を形成するためのシステムであって、
ガス形態の金属有機前駆体(408,616)とガス形態の導電性を容易にする化合物(406,614,1212)とを選択的にデポジションチャンバに与えるガス分配システム(812)と、
前記導電層(110,402,602,808)上への前記硫化銅(106,206,406,614,1214)のデポジョンをアクティベートするように前記チャンバにRFプラズマを確立する前記前駆体を電気的に励起する励起システム(410,618,836,842)と、を含む、
システム。
IPC (3件)：
C23C 16/30
, H01L 27/28
, H01L 51/05
C23C16/30
, H01L27/10 449
, H01L29/28
4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030BA50
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 5F083FZ07
, 5F083GA05
, 5F083GA09
, 5F083JA33
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA42
, 5F083JA60
, 5F083PR21
, 5F083PR23
, 5F083PR40
, 5F083ZA21
