特許
J-GLOBAL ID：200903063135703181
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-266925
公開番号（公開出願番号）：特開平8-130302
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 コンタクトホ-ルのバリア性を向上させると共に薄膜化を図りうるバリアメタル膜を有する半導体装置とその製造方法を提供することである。【構成】 コンタクトホ-ルを含む絶縁膜13上に設けられたバリアメタル膜20は、第1のTi膜21、TiN膜22、TiON膜23及び第2のTi膜24からなる4層構造の積層膜である。TiON膜23はTiN膜22に1分間のO2プラズマ処理を施して形成するか、若しくはタ-ゲットをTiOとするArスパッタリング法により形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、上記絶縁膜に設けられた開口部と、上記開口部の少なくとも底部に設けられたバリアメタル膜と、上記開口部を埋め込む導電層とからなる半導体装置において、上記バリアメタル膜は、第1のTi膜、TiN膜、TiON膜及び第2のTi膜を順次積層した膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/43
, H01L 21/28 301
