特許

J-GLOBAL ID：200903063137073908

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 有留 誠一 ,  田中 智晴 ,  竹内 健
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195767
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064699
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、選択トランジスタの寄生容量を実質的に低減し、より一層の安定動作、高速動作を可能とした半導体記憶装置を提供する。【構成】 本発明の半導体記憶装置は、半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層の電荷の授受により書き込みおよび消去を行うメモリセルを複数個接続してなるメモリセルユニットが複数個配置され、隣接する少なくとも2個のメモリセルユニットがそれぞれ複数個の選択トランジスタを介して同一のデータ線に接続される構成の不揮発性半導体記憶装置において、前記複数個の選択トランジスタの少なくとも一つが電荷蓄積層と制御ゲートが積層されてなることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層され、電荷蓄積層の電荷の授受により書き込みおよび消去を行うメモリセルを複数個接続してなるメモリセルユニットが複数個配置され、隣接する少なくとも2個のメモリセルユニットがそれぞれ複数個の選択トランジスタを介して同一のデータ線に接続される構成の不揮発性半導体記憶装置において、前記複数個の選択トランジスタの少なくとも一つが電荷蓄積層と制御ゲートが積層されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-074069
  
• 特開平4-278297