基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (4件)：大塚康徳 , 高柳司郎 , 大塚康弘 , 木村秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-252327
公開番号（公開出願番号）：特開2008-110912
出願日： 2007年09月27日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：

【課題】III族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。【解決手段】上面が(0001)面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をGaNの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で1000°C以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物(CrN)膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、GaNバッファ層を成膜した後、基板温度を1040°Cまで昇温し、GaNの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、105/cm2以下であるGaN単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、GaNの基板を下地基板から分離する。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

下地基板の上にクロム層を成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を1000°C以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程と、を備えたことを特徴とする基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , C30B 25/18

FI (3件)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , C30B25/18

Fターム (21件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TC13 , 4G077TC14 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40

引用特許：

審査官引用 (3件)

窒化ガリウム結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-062546 出願人：日立電線株式会社
発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-215342 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-272323 出願人：株式会社東北テクノアーチ, 古河機械金属株式会社, 三菱化学株式会社, DOWAエレクトロニクス株式会社, エピバレー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

MBE法による低温CrxNバッファ層を用いたGaNの成長

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