特許
J-GLOBAL ID:200903063141627560
半導体装置の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-162701
公開番号(公開出願番号):特開平7-094755
出願日: 1994年06月20日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】 TFT等の島状の珪素膜を必要とする素子や回路において、ゲイト絶縁膜やゲイト電極のステップカバレージを向上させ、歩留りを高める作製方法を提供する。【構成】 島状珪素膜をパターニングする際に、珪素膜表面を露出して、酸化雰囲気中で400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱すること、もしくは、レーザーやそれと同等な強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、これをパターニングの際の保護膜として用いることによって、下地膜のオーバーエッチを低減する。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に珪素膜を形成する第1の工程と、前記珪素膜を酸化雰囲気中、400〜700°Cでの熱アニール、もしくは光アニール処理することによって、珪素膜表面に薄い酸化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜を覆って、フォトレジストを塗布する第3の工程と、前記酸化膜および珪素膜を選択的にエッチングする第4の工程と、前記選択的に残されたフォトレジストを除去する第5の工程と、その下に密着している酸化膜を除去する第6の工程とを有する半導体装置の作製方法。
IPC (5件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/26
, H01L 21/268
FI (2件):
H01L 29/78 311 Y
, H01L 21/26 L
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