特許

J-GLOBAL ID：200903063141627560

半導体装置の作製方法

発明者： 安達 広樹 ,  武内 晃 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162701
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094755
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 TFT等の島状の珪素膜を必要とする素子や回路において、ゲイト絶縁膜やゲイト電極のステップカバレージを向上させ、歩留りを高める作製方法を提供する。【構成】 島状珪素膜をパターニングする際に、珪素膜表面を露出して、酸化雰囲気中で400〜700°C、好ましくは500〜600°Cに加熱すること、もしくは、レーザーやそれと同等な強光を照射することによって、表面にごく薄い酸化膜を形成し、これをパターニングの際の保護膜として用いることによって、下地膜のオーバーエッチを低減する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に珪素膜を形成する第1の工程と、前記珪素膜を酸化雰囲気中、400〜700°Cでの熱アニール、もしくは光アニール処理することによって、珪素膜表面に薄い酸化膜を形成する第2の工程と、前記酸化膜を覆って、フォトレジストを塗布する第3の工程と、前記酸化膜および珪素膜を選択的にエッチングする第4の工程と、前記選択的に残されたフォトレジストを除去する第5の工程と、その下に密着している酸化膜を除去する第6の工程とを有する半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/26 L