特許
J-GLOBAL ID：200903063143398614
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221253
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064041
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 導体層間を接続する接続孔内における導体膜の被覆率を向上させる。【構成】 第1層配線3を被覆する層間絶縁膜に接続孔9Aを穿孔する際に、ドライエッチング処理によって第2絶縁膜6に達する程度の接続孔9A3 を形成した後、その接続孔9A3 の側面にウェットエッチング処理によって傾斜を形成し、さらに、接続孔9A3 の底部の第2絶縁膜6および第1絶縁膜4をドライエッチング処理によって除去して接続孔9Aを形成する。
請求項（抜粋）：
導体層を被覆する層間絶縁膜に、前記導体層の一部が露出するような接続孔を穿孔する際に、以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。(a)前記導体層を被覆する第1絶縁膜を堆積した後、前記第1絶縁膜上に第1絶縁膜とはエッチングレートの異なる第2絶縁膜を堆積し、さらに、前記第2絶縁膜上に第2絶縁膜とはエッチングレートの異なる第3絶縁膜を順に堆積することにより前記層間絶縁膜を形成する工程。(b)前記第3絶縁膜上に、前記接続孔の形成領域が露出するようなマスクパターンを形成する工程。(c)前記マスクパターンをエッチングマスクとして、そのマスクパターンから露出する前記第3絶縁膜の途中位置または前記第2絶縁膜の途中位置までをドライエッチング処理によって除去することにより前記接続孔の上部を形成する工程。(d)前記マスクパターンをエッチングマスクとして、前記接続孔の上部の側面に傾斜が形成されるように、前記接続孔の上部の側面における第3絶縁膜をウェットエッチング処理により除去する工程。(e)前記マスクパターンをエッチングマスクとして、そのマスクパターンから露出する前記第2絶縁膜および前記第1絶縁膜をドライエッチング処理によって除去することにより接続孔の下部を形成し、前記導体層の一部を露出させる工程。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 F
, H01L 21/90 B
