特許

J-GLOBAL ID：200903063143592798

炭素又は炭素を主成分とする被膜

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144423
出願日： 1981年09月07日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 絶縁表面上の珪素被膜上に耐摩耗性を有する被膜を形成する。【解決手段】 絶縁表面上の珪素被膜3上に設けられた耐摩耗性を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜5であって、炭素又は炭素を主成分とする被膜5は非晶質の被膜又は0.5〜2nmの大きさの微結晶を有する被膜であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上の珪素被膜上に設けられた耐摩耗性を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜であって、前記炭素又は炭素を主成分とする被膜は非晶質の被膜又は0.5〜2nmの大きさの微結晶を有する被膜であることを特徴とする炭素又は炭素を主成分とする被膜。

IPC (3件)：

C23C 16/26 ,  B41J 2/335 ,  C23C 16/511

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  C23C 16/511 ,  B41J 3/20 111 F ,  B41J 3/20 111 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-042472
  
• 特開昭55-078524
  
• 特開昭55-161545