特許

J-GLOBAL ID：200903063151404860

磁気抵抗効果素子、強磁性体メモリ及び情報機器

発明者： 関口 芳信
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301933
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110165
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子においてメモリ層の磁化反転や磁化方向の維持などの特性を改善する。【解決手段】 メモリ磁性層11は、GdFeまたはGdFeCo合金からなるので、希土類金属Gdと遷移金属Fe、Coの組成により保磁力を最適に設定するとともに、GdFeまたはGdFeCoの組成及び膜構成によりメモリ磁性層の磁化を最適にする。更に、ピン磁性層13を、TbFeまたはTbFeCo合金とすることで、組成及び膜構成によりピン磁性層の磁化を最適化し、メモリ磁性層の反転磁界を低減すると共に、磁化方向を安定に維持する磁気抵抗効果素子を容易に構成することができる。

請求項（抜粋）：

GdFeまたはGdFeCo合金からなり、磁化方向により情報を記憶するメモリ磁性層と、TbFeまたはTbFeCo合金からなり、前記メモリ磁性層より保磁力が大きく、前記メモリ磁性層の磁化方向を変化させても、磁化方向が変化しないピン磁性層と、前記メモリ磁性層と前記ピン磁性層とで挟まれた非磁性絶縁層とを有する磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10

FI (9件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 M ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (21件)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  2G017BA00 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB11 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22