特許

J-GLOBAL ID：200903063155315447

半導体加速度センサ

発明者： 斎藤 正勝 ,  田中 茂徳 ,  池田 由夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363371
公開番号（公開出願番号）：特開2003-172745
出願日： 2001年11月28日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 高感度で超小型・薄型の半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 半導体基板の中央部に形成された質量部と該半導体基板の周縁部に形成された枠部と、前記質量部及び前記枠部の上方に設けられ、これら質量部及び枠部を接続する薄肉の弾性部と該弾性部の上面側に形成された複数対のピエゾ抵抗素子とを具備し、前記質量部にその幅が前記弾性部幅より広い略直方体形状の2対の切り欠きを設け、該2対の切り欠きの上面側にて該質量部と前記2対の弾性部とを接続した半導体加速度センサ。

請求項（抜粋）：

半導体基板の中央部に形成された質量部と、該半導体基板の周縁部に形成された枠部と、前記質量部及び前記枠部の上方に設けられ、これら質量部及び枠部を接続する薄肉の直交する2対の弾性部と、該2対の弾性部の上面側に形成された複数対のピエゾ抵抗素子とを具備してなる半導体加速度センサであって、前記質量部に、その幅が前記弾性部幅より広い略直方体形状の2対の切り欠きを設け、該2対の切り欠きの上面側にて該質量部と前記2対の弾性部とを接続したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/12 ,  G01P 15/18 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84 B ,  G01P 15/00 K

Fターム (20件)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA06 ,  4M112CA07 ,  4M112CA09 ,  4M112CA14 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112FA01 ,  4M112FA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 加速度検出装置、その製造方法及び膜厚計算方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-196498   出願人：株式会社ニコン
• 加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101928   出願人：住友金属工業株式会社, 株式会社ワコー
• 可動構造部を有する微小構造体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-291537   出願人：住友金属工業株式会社