絶縁膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-050940
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198574
出願日： 1991年03月15日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】[目的] シリコン基板上に従来より膜質が優れ、破壊耐性の高い絶縁膜を形成すること。[構成] シリコン基板10上に形成したシリコン酸化膜12をN2Oガス雰囲気中で1000〜1200°Cの温度で加熱しながら上記シリコン酸化膜の膜厚Xに対しX/Y≦0.9を満足する膜厚Yのシリコン酸窒化膜(SiON膜)14に変える。このシリコン酸窒化膜14で絶縁膜を構成する。

請求項（抜粋）：

シリコンの下地上に絶縁膜を形成する方法において、シリコンの下地上に形成されたシリコン酸化膜を窒素含有の酸化性ガス雰囲気中で加熱処理してシリコン酸窒化膜に置換し該シリコン酸窒化膜を当該絶縁膜とし、前記置換は、前記シリコン酸化膜の膜厚が前記シリコン酸窒化膜の膜厚に対し0.9以下の膜厚となるように行うことを特徴とする絶縁膜形成方法。

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