特許
J-GLOBAL ID：200903063166143184
多層配線基板及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102660
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高密度に実装する薄膜多層配線基板およびその製造方法に関し、製造期間の短縮、歩留りの向上、信頼性の向上などを図る。【構成】スケルトン構造の配線の空間に対して、その空間に充填できるような形成パターンに作製したフィルム状絶縁体を埋める。フィルム状絶縁体が加熱溶融後硬化する場合と、既に溶融しないように処理されている場合とがある。後者の場合には、配線誘導体とフィルムとの間の隙間を無溶剤ワニスで埋めて加熱接着固定化する。フィルムの充填、無溶剤ワニスの硬化などはコンプレッション、トランスファ、インジェクションなどのモールドで行う。減圧や加圧も用いる。【効果】モジュール、計算機の製造時間の短縮、歩留りの向上、信頼性の向上が図れる。さらに計算機の信号速度の高速化が図れる。
請求項（抜粋）：
スケルトン構造の配線層が占める空間を、その空間を埋められる形状に作製したフィルム状絶縁体を充填するか、あるいは充填するとともに、配線導体とフィルム状絶縁体との間の隙間を無溶剤状態のワニスで充填し相互を接着固定し、かつ上面が平坦な面であるように作製した多層配線基板の構成ユニットとそれを逐次重ねて製造する多層配線基板の製造方法。
引用特許：
前のページに戻る
