特許
J-GLOBAL ID：200903063171234953
MISトランジスタ及びMISトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325859
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153943
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】高電界領域の生成に伴うホットキャリア信頼性の問題を解決したMISトランジスタの製造方法を提供する。【構成】?@トランジスタを構成する半導体部分1が、少なくとも一方のテーパー面をなす下広がりの台形をなし、その上面にゲート11を形成し、周辺部にS/D拡散部52,51を形成し、少なくともドレイン拡散部51をそのゲートとの界面領域で低濃度拡散領域1aとする。?Aトランジスタを構成する半導体部分が、少なくとも一方の側辺がテーパー面をなす上広がりの台形をなし、その側辺部にS/D拡散部を形成し、該上広がりの台形の半導体部分の上面にゲートを形成して、少なくともドレイン拡散部のゲート直下の界面領域を低濃度拡散領域とする。?Bテーパ状の半導体部分1をマスクして、あるいは逆テーパ状にして、上記?@?Aをイオン注入例えば斜めイオン注入により形成する。
請求項（抜粋）：
トランジスタを構成する半導体部分が、少なくとも一方の側辺がテーパー面をなす下広がりの台形をなし、該半導体部分の上面にゲートが形成され、該半導体部分の側辺部にソース/ドレイン拡散部が形成され、該ソース/ドレイン拡散部は、少なくともドレイン拡散部がそのゲートとの界面領域において低濃度拡散領域になっていることを特徴とするMISトランジスタ。
引用特許：
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