半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-107780
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281298
出願日： 2006年04月10日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】ニッケルシリサイド層の電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体素子の信頼性および製造歩留まりを向上させる。【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ27に備わるウエハステージ27a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180°Cに維持されたシャワーヘッド27cにより半導体ウエハSWを100から150°Cの第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ27から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバにおいて150から400°Cの第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

自己整合反応によりニッケルシリサイド層を形成する半導体装置の製造方法であって、シリコン上にニッケル膜を堆積する前に以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)第1のチャンバに備わるウエハステージ上に半導体ウエハを置く工程; (b)前記ウエハステージの上方に設置されたシャワーヘッドを介して還元ガスを供給し、前記半導体ウエハの主面上の前記シリコンの表面をドライクリーニング処理する工程; (c)前記シャワーヘッドの加熱温度を利用した第1の温度で前記半導体ウエハを熱処理する工程; (d)前記半導体ウエハを前記第1のチャンバから第2のチャンバへ搬送する工程; (e)前記第2のチャンバにおいて、前記第1の温度よりも高い第2の温度で前記半導体ウエハを熱処理する工程。

IPC (8件)：

H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/768 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/088

FI (7件)：

H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/90 C , H01L27/08 321F , H01L27/08 102D , H01L21/28 A

Fターム (88件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK25 , 5F033KK32 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ91 , 5F033QQ95 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033XX08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

自己整合シリサイド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-271762 出願人：旺宏電子股ふん有限公司

審査官引用 (1件)

ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-054443 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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