特許

J-GLOBAL ID：200903063183217582

低温焼成セラミックス基板

発明者： 石亀 重治 ,  松村 吉章
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351545
公開番号（公開出願番号）：特開平6-171982
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 基板の焼成温度が900°C以下で可能であり、機械的強度が2500kgf/cm2 以上と大きく、および熱膨張係数が60×10-7/°C以下であるためにAu,AgおよびCuを導体として使用できアルミナ基板並に使用できる改良された低温焼成セラミックス基板を提供する。【構成】 アノーサイト(CaAl2 Si2 O8 )結晶相が20〜50体積%、ガーナイト(ZnAl2 O4 )結晶相が1〜20体積%で残部がガラス相からなり、更にアルミナ(Al2 O3 )をフィラーとして35〜50重量%含有してなることを特徴とする低温焼成セラミックス基板。

請求項（抜粋）：

アノーサイト(CaAl2 Si2 O8 )結晶相が20〜50体積%、ガーナイト(ZnAl2 O4 )結晶相が1〜20体積%で残部がガラス相からなり、更にアルミナ(Al2 O3 )をフィラーとして35〜50重量%含有してなることを特徴とする低温焼成セラミックス基板。

IPC (4件)：

C03C 14/00 ,  C03C 3/04 ,  C03C 10/00 ,  H05K 1/03