特許
J-GLOBAL ID：200903063183421503
微細構造発光素子作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-083174
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251740
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 リソグラフィー技術を応用して、ナノメータ微細構造に伴う量子効果を利用した発光素子を制御性よく作製する。【構成】 リソグラフィー技術により数百ナノメータ程度の微細構造を形成した後に、これを表面から酸化させることにより、半導体領域を数ナノメータ程度まで細らせることで微細構造発光素子を制御性よく作製する。
請求項（抜粋）：
微細構造を有する半導体発光素子の作製方法において、半導体基板表面にリソグラフィー技術により微細パターン転写を行った後、該パターン形成面から所望の深さだけ酸化させ、半導体領域をさらに細くさせることを特徴とする半導体発光素子作製方法。
IPC (2件)：
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