特許
J-GLOBAL ID：200903063185804299
半導体エピタキシヤル基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334065
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144751
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、エピタキシャル成長プロセスを繰り返すことによって、発生ライフタイムに優れているエピタキシャル成長基板の製造を可能にする。【構成】 第1の工程の加熱工程1で、基板を加熱処理し、次いで第2の工程のエピタキシャル成長工程2で、基板温度をエピタキシャル成長温度にして、エピタキシャル成長17を行うことにより基板上に半導体エピタキシャル層を形成し、その後第3の工程の冷却工程3で、エピタキシャル成長を停止した後、半導体エピタキシャル成長層を形成した基板を冷却する冷却19を行う、上記3工程よりなるエピタキシャル成長プロセス4を複数回繰り返して行う。または、エピタキシャル成長プロセス4と次のエピタキシャル成長プロセス4(5)との間に基板の洗浄プロセスを行う。
請求項（抜粋）：
基板を加熱する第1の工程と、前記基板の温度をエピタキシャル成長温度に調整した後、エピタキシャル成長を行うことにより、当該基板の表面に半導体エピタキシャル層を形成する第2の工程と、前記基板を、エピタキシャル成長温度の1/2以下の温度に冷却する第3の工程とよりなるエピタキシャル成長プロセスを、複数回繰り返して行うことを特徴とする半導体エピタキシャル基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C30B 25/10
